半導体デバイスの熱放射を倍増する技術
半導体デバイスの熱放射を倍増させる技術が新たに開発されたようです。カメラへの応用も可能なのでしょうか？
東京大学の立川冴子大学院生（研究当時、現産業技術総合研究所研究員）、同大生産技術研究所の野村政宏教授らの研究グループは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで「プランクの熱放射則」で決まるとされていた熱放射を倍増させた。半導体デバイスの排熱問題の解決などに役立つと期待される。
以前にも当サイトで記事にしているのですが、あらためてお伝えしたいと思います。記事では、東京大学などの研究グループが、熱放射を倍増させることを実現できたとしています。熱放射に関しては法則で決まっていて、それ以上の放射は不可能と考えられていたようですが、特殊な方法によって熱放射を倍増させることができるようですね。
これにより空間への放射を効率的に行えるようになり、電子機器の熱管理への応用が期待できるとしています。
カメラでは、主にイメージセンサー、イメージプロセッサ、メモリカードが発熱の原因となっています。そのため特に動画の撮影においてオーバーヒートしないよう様々な対策を行っています。最近ではカメラの本体をヒートシンクとしてみなすような設計をしたり、ダクトを設計して空気を対流させるなど、様々な冷却方法が取り入れられているようです。しかし、この技術を応用すれば、よりこれらの熱源から効率的に熱を管理できる可能性があるかもしれません。カメラに応用できたらいいなと思いますね。
（記事元）Yahooニュース
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コメント
コメント一覧 （1件）
重要なのは熱放射が倍になったらその熱をどうやって外に逃がすかですね。
エネルギー保存の法則から総エネルギー量は変わらず伝達効率が２倍に
なったので何某かの強力なヒートシンク等、排熱装置が必要になります。
カメラが触れないような熱を持ったら大変なので1つのヒントはキヤノンの
特許に示す磁性流体がいいかもしれなせん。
筐体への熱伝導を抑え排熱部に熱エネルギーを集約させることができそうです。
実際には今回開発された技術がCMOSセンサーに適用出来る物なのかどうかも
ありますね。