半導体の熱放射を倍増させる特許
東京大学の研究グループは9日、半導体シリコンの熱放射を倍増させる技術を開発した。
高性能半導体デバイスにおいては、局所的な発熱により性能や信頼性が低下してしまうことが問題となっている。しかし研究グループでは、シリコン膜の表面をわずかに酸化させるだけで、プランクの熱放射則で決まるとされていた熱放射を倍増させることに成功した。これにより、発熱問題解消に期待がかかる。
東京大学の研究グループが半導体シリコンの熱放射を倍増する技術を開発したと発表したそうです。局所的な発熱の熱放射を倍増させることができるということで、発熱問題の解消に期待がかかると記述されています。
大量のデータをやりとりしたり、演算能力を高めようとすると、それらのメモリ、CPU、SSDなどが発熱することはよく知られています。そのためにCPUには冷却ファンが取り付けられ、SSDやメモリにも巨大なヒートシンクが取り付けられることがあります。
このことはカメラでも同様です。カメラでは主に発熱源となるものとしてイメージセンサー、イメージプロセッサ、メモリカードであると言われています。もし放熱量が2倍になれば、それだけイメージプロセッサやメモリ本体そのものは冷めやすくなるでしょうから、より熱の管理が簡単になるかもしれません。
これで熱をカメラ本体から外部にうまく放熱できるようになれば、いまの動画撮影時のオーバーヒート問題や、ファンが必要になってしまう問題も解消することができるかもしれないので、さらなる技術開発に期待したいですね。
（記事元）Yahooニュース
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コメント
コメント一覧 （1件）
カメラの場合センサーが密閉された空間にあるから難しそうですね。
放熱された熱が内部に籠もるので何某かの放熱手段を別途設ける必要が
ありそうです。
特にボディ内手振れ補正を装備しているとセンサー周りの慣性質量を
軽くしなければならず難しいです。
この場合はセンサー固定でレンズ内手振れ補正が有利ですね。
それならば裏面に放熱の機構が取り付けられます。
冷却フィン、磁性流体、ヒートパイプ何でも出来ます。