キヤノンのナノプリント半導体露光装置はEUVより1桁安い
キヤノンが新開発したナノプリント技術を採用した半導体露光装置はかなり低価格になる可能性があるようです。
御手洗氏は都内の本社での先月のインタビューでナノインプリント装置の特長について、「EUVに比べて全然安い。1桁違う」と述べ、「存在価値が非常にある」とした。具体的な社名の言及はしなかったが、半導体メーカーでは「期待してくれているところがたくさんある」とも述べた。
半導体の微細化に欠かせないEUV装置の供給は、現時点ではオランダのASMLホールディングが独占。ただ同装置は1台200億円程度と高額で、導入企業は限られている。ブルームバーグのデータによると、同社の顧客には台湾積体電路製造(TSMC)や韓国サムスン電子などが含まれる。
キヤノンの半導体露光装置についてBloombergが報じています。
記事によればキヤノン社長へのインタビュー記事として、キヤノンが開発したナノプリント技術を採用した半導体露光装置について、EUVよりも1桁ぐらい安くなる可能性があるようです。
キヤノンの仕組みは回路パターンが記述されたマスクを押しつけて回路を形成する方法です。EUVというのは光を投影して回路を作る方法で、キヤノンの仕組みのほうがかなり廉価な製造装置とすることが可能となっているようです。
しかし、別記事になりますが、キヤノンのこの製品が世界最先端のEUVと同等になるまでには何年もかかる可能性があるそうです。というのも欠陥のある製品ができてしまう可能性が高く、歩留まりが向上するのにはまだまだ時間がかかるというのです。EUVと同じぐらいの歩留まりが可能となれば、キヤノン製品の優位性はかなり高まると思うので、今後の技術革新に期待したいところですね。
- カメラのキタムラ売れ筋ランキング Nikon Z30が首位 EOS R5 IIが2位で猛追
- サムヤンのRF-Sレンズは正式認可を受けている!? キヤノンのレンズ戦略に変化か?
- EOS R1は報道スポーツ写真に理想的だが少し専門的になりすぎたかもしれない
- キヤノンが24-130mm f/4、24-80mm f/2.8のレンズ特許を出願
- キヤノン R6 III、積層センサーのR7 II、プロ向けRF-Sレンズ2本計画中か
- キヤノンRF50mm F1.4 L VCMの供給不足を告知 通常より時間がかかる可能性
- キヤノン EOS R1のテクノロジを解説する特設ページ公開 クロスAFの技術ほか
- RF70-200mm F2.8 L IS USM Zに白と黒のカラバリが設定された理由が判明
- キヤノンのRF200-500mmはf/4ではなくf/5.6になるという噂が急浮上
- RF35mm F1.4 L VCMは複雑なレンズで賛否両論になるのは明らか
(記事元)https://news.yahoo.co.jp/articles/59f85284e53a21914f4afed6b1d96c7d35b45907
Twitterいいねとリツイートのお願い
記事をよんで面白いと思ったら、Twitterでのいいねボタン、リツイートをしていただけると嬉しいです。
よろしくお願いいたします。
コメント
コメント一覧 (1件)
今の所最先端の微細な半導体は無理のようですね。
今後も難しそうです。
遙かに数で勝る汎用の半導体用を考えているように思えます。
またキヤノンがスマートフォン用等に開発している超薄型のメタレンズの
製造過程が同じなので当該レンズ製造用に使う事も考えているのかもしれません。